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您是否在寻找一颗能轻松驾驭100V电压、高效控制1.6A电流，同时还能节省宝贵电路板空间的功率开关？ZXMN10B08E6TA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，采用先进的MOSFET技术，旨在让您的电源管理、电机驱动或负载开关应用运行得更顺畅、更可靠。

它能在低至4.3V的驱动电压下高效开启，最大导通电阻仅230毫欧，这意味着更低的能量损耗和更高的系统效率，直接帮助您延长电池续航或减少发热。其超低的栅极电荷和输入电容，确保了快速的开关响应，让您的设计动态性能出众。所有这些强大功能，都被集成在微小的SOT-26封装内，让您能从容应对紧凑型设计挑战，轻松实现高性能与小体积的完美平衡。

• 型号:ZXMN10B08E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.6A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.3V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:230 毫欧 @ 1.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:497 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN10B08E6TA，Diodes产品一站式供应商。