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还在为高压小电流电路的开关效率而纠结吗？让ZXMN20B28KTC来为您轻松化解难题！这颗N沟道MOSFET是Diodes为您精心打造的功率开关利器，拥有200V的耐压和1.5A的电流处理能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅750毫欧@10V）和超快的开关特性。这意味着它能显著降低导通损耗和开关损耗，让您的电源转换或电机驱动电路运行得更高效、更凉爽。

无论是设计紧凑的适配器、智能家居的电源模块，还是需要可靠切换的工业控制板，ZXMN20B28KTC都能完美胜任。它采用易于焊接和散热的TO-252-3封装，让您的PCB布局更灵活，生产更便捷。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、可靠且经济高效的心脏，助您轻松提升终端产品的性能和市场竞争力。

• 型号:ZXMN20B28KTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 1.5A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:750 毫欧 @ 2.75A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.1 nC @ 5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:358 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN20B28KTC，Diodes产品一站式供应商。