我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN2A01E6TA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为空间紧张却需要可靠功率控制的项目发愁吗？让ZXMN2A01E6TA来为您解忧！这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，是专为高效、紧凑型应用而生的功率开关明星。

它能为您做什么？它让您轻松驾驭高达2.5A的电流，并以低至120毫欧的导通电阻实现高效电能传输，显著减少功率损耗和发热。其SOT-23-6微型封装和低至2.5V的驱动电压，让您能轻松将其集成到任何空间受限、由低压MCU控制的系统中，无论是便携设备的负载开关、电机驱动还是电源管理，都能胜任。

选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲、高效且可靠的心脏，助您轻松提升产品性能和竞争力。

• 型号:ZXMN2A01E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:303 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN2A01E6TA，Diodes产品一站式供应商。