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还在为空间有限的电路板寻找一颗强效的“开关大师”吗？ZXMN2A01FTC正是您期待的答案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，集小巧SOT-23-3封装与1.9A强劲驱动能力于一身，能轻松胜任您项目中各种负载开关、电机驱动和电源管理任务。

它的核心价值在于高效与可靠。凭借低至120毫欧的导通电阻，它能显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更持久。同时，宽广的-55°C至150°C工作温度范围，让它无惧环境挑战，确保您的产品在各种条件下稳定如一。选择它，就是为您的设计选择了一份小巧身材下的强大动能与安心保障。

• 型号:ZXMN2A01FTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 1.9A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:303 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN2A01FTC，Diodes产品一站式供应商。