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ZXMN2A03E6TC 零件图片(仅供参考)

ZXMN2A03E6TC
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ZXMN2A03E6TC 规格参数

您正在设计需要高效电源切换或电机控制的紧凑型产品吗?ZXMN2A03E6TC就是您理想的解决方案。这颗N沟道MOSFET能为您做什么?它就像一个高效、敏捷的电子开关,让您轻松控制高达3.7A的电流通断,其低至55毫欧的导通电阻能极大减少能量损耗,直接提升终端设备的续航和能效。

得益于其2.5V的低驱动电压和微小的SOT-23-6封装,它能轻松集成到空间受限的便携设备中,无论是智能手表的电源路径管理,还是迷你风扇的电机驱动,都能胜任。选择它,就是选择了一个让设计更简洁、性能更可靠的成熟方案。

  • 型号:ZXMN2A03E6TC
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-23-6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 20V 3.7A SOT23-6
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):2.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):55 毫欧 @ 7.2A,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250A(最小)
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):8.2 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值):±12V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):837 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-23-6
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • ZXMN2A03E6TC,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMN2A03E6TC 基本参数:

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