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还在为电路板空间紧张而发愁吗？ZXMN2A04DN8TC这颗双N沟道MOSFET阵列，就是为您的高密度设计量身打造的。它将两个独立的逻辑电平MOSFET集成在一个微小的8-SOIC封装内，让您轻松实现双路信号或负载的紧凑型控制，彻底解放您的PCB空间。

这颗芯片能为您做什么？它让您能够直接用单片机或低压逻辑（低至4.5V）来高效驱动每路高达5.9A的电流。其极低的导通电阻（仅25毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，从而提升整个系统的能效与可靠性。无论是用于电源切换、电机驱动还是LED控制，它都能确保您的设备运行得更安静、更强劲、更持久。

• 型号:ZXMN2A04DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:20V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 5.9A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.1nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1880pF @ 10V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN2A04DN8TC，Diodes产品一站式供应商。