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还在为空间有限的电路板寻找一颗动力强劲又高效的开关吗？ZXMN2B01FTA正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在微型SOT-23-3封装内，为您提供高达2.1A的电流处理能力，并以低至100毫欧的导通电阻，大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽，电池续航更长久。

它专为低压、高效率的应用而优化。其1.8V的低开启电压，让您能轻松使用各种微控制器直接驱动，实现精准的电源开关控制。无论是用于便携设备的负载开关、电机驱动，还是电池管理电路，它都能确保快速响应和高效运行。选择它，就是为您的产品注入一颗可靠、高效的动力核心，轻松应对各种设计挑战。

• 型号:ZXMN2B01FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:1.8V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:100 毫欧 @ 2.4A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±8V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:370 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN2B01FTA，Diodes产品一站式供应商。