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您正在设计需要高效电源切换或电机控制的紧凑型设备吗？ZXMN2F30FHTA正是为您而来的N沟道MOSFET。它能在20V电压下顺畅处理高达4.1A的电流，并以低至45毫欧的导通电阻，显著降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片的卓越之处在于其快速的开关特性。极低的栅极电荷和输入电容，让它在2.5V的低电压下就能被快速驱动，实现毫秒级的响应速度。这意味著在DC-DC转换、负载开关或电机驱动等应用中，它能帮助您大幅提升系统整体效率，同时其微小的SOT-23-3封装为您节省了宝贵的电路板空间。

总而言之，ZXMN2F30FHTA将强劲的动力、高效的性能和紧凑的尺寸融为一体。选择它，能让您轻松应对各种低压、高电流的开关挑战，是打造高性能、高可靠性便携式或嵌入式产品的理想之选。

• 型号:ZXMN2F30FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:452 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:960mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN2F30FHTA，Diodes产品一站式供应商。