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还在为空间受限的设计中如何实现高效、可靠的功率切换而烦恼吗？ZXMN2F34FHTA正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET能在仅2.5V的低驱动电压下高效导通，轻松处理高达3.4A的连续电流，让您的便携设备、电源模块或电机驱动电路运行得更流畅、更节能。

它集高性能与微型化于一身，采用标准的SOT-23-3封装，极大节省了您的PCB空间。其优异的动态参数，如低栅极电荷和低导通电阻，能显著降低开关损耗和温升，从而提升系统整体效率与可靠性。选择它，就是为您的产品注入一颗强劲而高效的“心脏”。

• 型号:ZXMN2F34FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 20V 3.4A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:20 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 2.5A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:277 pF @ 10 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN2F34FHTA，Diodes产品一站式供应商。