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还在为寻找一颗高效、可靠的功率开关而烦恼吗？ZXMN3A02N8TC N沟道MOSFET正是您理想的解决方案。它能在30V电压下轻松驾驭高达7.3A的连续电流，凭借其卓越的低导通电阻特性，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其低至4.5V的驱动电压让它可以被大多数微控制器直接驱动，省去复杂的电平转换电路。同时，快速的开关速度和低栅极电荷让它在高频PWM应用中表现出色，无论是电机控制、DC-DC转换还是负载开关，都能让您实现高效、精准的功率管理。

• 制造商产品型号：ZXMN3A02N8TC
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：7.3A（Ta）
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：25 毫欧 @ 12A，10V
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：1V @ 250A
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：26.8nC @ 10V
• Vgs（最大值）：±20V
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1400pF @ 25V
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：1.56W（Ta）
• 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• ZXMN3A02N8TC，Diodes产品一站式供应商。