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还在为空间有限的电路板寻找一颗强效又省电的“开关”吗？ZXMN3A02X8TA就是您的理想之选！这颗N沟道MOSFET能在仅4.5V的低驱动电压下高效开启，以低至25毫欧的导通电阻轻松应对高达5.3A的连续电流，显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动方案能效更高、发热更少。

它采用微型8-MSOP表面贴装封装，为您节省每一寸宝贵的PCB空间。同时，其宽广的-55°C至150°C工作结温范围和30V的耐压能力，赋予了它出色的环境适应性与可靠性。选择它，就是为您的紧凑型高效能设计注入一颗稳定而强大的心脏。

• 型号:ZXMN3A02X8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-MSOP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 5.3A 8MSOP
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-MSOP
• 封装/外壳:8-TSSOP，8-MSOP（0.118\\
• ZXMN3A02X8TA，Diodes产品一站式供应商。