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您是否正在寻找一颗能“以小博大”的功率开关？ZXMN3A03E6TA正是这样一位得力干将。它能在仅SOT-23-6的微小身躯内，为您轻松驾驭高达30V电压和3.7A的电流，其低至50毫欧的导通电阻，意味着更少的能量损耗和更高的系统效率，直接让您的产品续航更持久、运行更凉爽。

这颗N沟道MOSFET专为高效开关应用而生。无论是管理电池供电、驱动小型电机，还是作为DC-DC转换的核心开关，它都能凭借快速的开关响应和极低的栅极电荷，确保能量转换干净利落。其宽泛的工作温度范围和稳健的构造，更能让您无惧各种应用环境的挑战，轻松构建出高效、紧凑且可靠的电源管理系统。

• 型号:ZXMN3A03E6TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT-23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN3A03E6TA，Diodes产品一站式供应商。