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还在为有限的PCB空间和严苛的能效要求而烦恼吗？让ZXMN3A03E6TC来为您分忧！这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，集30V耐压、3.7A大电流承载能力于一身，却仅占用微小的SOT-23-6封装面积，是空间敏感型应用的理想选择。

它的核心魅力在于极高的效率。仅需4.5V至10V的驱动电压，即可实现极低的导通电阻（最低50毫欧），这意味着更少的能量以热量的形式浪费，让您的系统运行更凉爽、更持久。无论是用于便携设备的负载开关、电机控制，还是电源管理路径，它都能让您轻松实现高效、可靠的功率切换，显著提升整体产品性能。

• 型号:ZXMN3A03E6TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-6
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.7A SOT23-6
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 7.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-6
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMN3A03E6TC，Diodes产品一站式供应商。