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还在为控制电路的效率和体积发愁吗？让ZXMN3A04DN8TA双N沟道MOSFET成为您的得力助手！它能轻松处理高达6.5A的电流，凭借仅1V的超低开启电压和20毫欧的优异导通电阻，确保您的设备开关迅速、运行凉爽，显著提升能效和可靠性。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其逻辑电平门特性让您能直接连接微处理器，省去额外电路，而紧凑的8-SOIC封装则为您节省宝贵的电路板空间。无论是电机驱动、电源开关还是负载管理，它都能让您高效、稳定地实现控制目标，是追求高性能与小尺寸完美平衡的理想选择。

• 型号:ZXMN3A04DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 12.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1890pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.81W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN3A04DN8TA，Diodes产品一站式供应商。