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还在为电路中的开关损耗和驱动复杂性头疼吗？ZXMN3A04DN8TC双N沟道MOSFET正是为您排忧解难的能手。它拥有30V的耐压和6.5A的强大电流处理能力，其逻辑电平门控设计让您无需复杂驱动电路，直接用微控制器的GPIO口就能轻松、高效地控制它，极大简化了您的设计流程。

这颗芯片的核心价值在于其卓越的能效表现。极低的导通电阻意味着在开关过程中能量损耗更少，让您的系统运行更“冷静”，电池续航更持久。无论是用于电源路径管理、电机驱动还是负载开关，它都能提供快速、可靠的响应，确保您的设备稳定高效运转。选择它，就是为您的产品选择了一颗强劲而可靠的“心脏”。

• 型号:ZXMN3A04DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 12.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:36.8nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1890pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.81W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN3A04DN8TC，Diodes产品一站式供应商。