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还在为寻找一颗能兼顾性能与尺寸的功率开关而纠结吗？ZXMN3A05N8TA就是您的理想答案！这颗N沟道MOSFET能为您轻松驾驭高达30V的电压和12A的电流，是电源管理、电机驱动和负载开关等应用的效率引擎。

它采用先进的MOSFET技术，旨在实现极低的功率损耗和快速的开关响应。这意味着您不仅能提升整个系统的能源效率，还能让设备运行得更凉爽、更安静。其小巧的8-SOIC表面贴装封装，让您在设计高密度电路板时游刃有余，轻松实现产品的小型化与高性能化。

• 制造商产品型号：ZXMN3A05N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET N-CH 30V 12A 8-SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
• 产品系列：*
• 零件状态：停产
• FET类型：N 通道
• 技术：MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• Vgs（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• FET功能：-
• 功率耗散（最大值）：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 器件封装：8-SO
• ZXMN3A05N8TA，Diodes产品一站式供应商。