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还在为寻找一颗能同时控制两路负载、驱动简单又高效能的开关器件而烦恼吗？ZXMN3A06DN8TC正是为您而来的解决方案。这颗双N沟道MOSFET阵列，核心使命就是让您的电源管理和负载切换设计变得前所未有的轻松。它内置两个独立的“电子开关”，每个都能承受高达30V电压和持续4.9A的电流，而极低的导通电阻意味着更小的能量损耗和发热，直接提升您的系统整体效率。

更妙的是，它是一款逻辑电平门器件，意味着您可以直接用微控制器或数字信号处理器（DSP）的GPIO口（通常3.3V或5V）来直接驱动它，省去了繁琐的电平转换电路，不仅简化了PCB布局，更降低了BOM成本。无论是用于电机驱动、LED调光，还是作为高效的负载开关，它都能让您以更少的元件、更简洁的设计，实现稳定可靠的性能。选择它，就是选择了一条通往高效能、高集成度设计的捷径。

• 型号:ZXMN3A06DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.5nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:796pF @ 25V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN3A06DN8TC，Diodes产品一站式供应商。