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还在为电路板上的空间捉襟见肘而头疼吗？ZXMN3A06N8TA就是为您而来的空间优化大师！这颗30V双N沟道MOSFET阵列，将两个独立的开关单元集成于一个紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现高密度的双路信号切换或负载驱动，大幅节省宝贵的PCB面积。

它能让您的设计工作变得异常高效。无论是用于便携设备的电源路径管理，还是作为逻辑电平控制的功率开关，ZXMN3A06N8TA都能提供可靠的性能。选择它，就是选择了一个简化BOM、提升组装效率的成熟方案，让您能够更专注于产品核心功能的开发与创新。

• 制造商产品型号：ZXMN3A06N8TA
• 制造商：Diodes Incorporated（美台半导体）
• 描述：MOSFET 2N-CH 30V 8SOIC
• 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
• 产品系列：-
• 零件状态：停产
• FET类型：2 N-通道（双）
• FET功能：标准
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 25°C时电流-连续漏极(Id)：-
• 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：-
• 不同Id时Vgs(th)（最大值）：-
• 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：-
• 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：-
• 功率-最大值：-
• 工作温度：-
• 安装类型：表面贴装型
• 封装：8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• ZXMN3A06N8TA，Diodes产品一站式供应商。