我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN3A14FQTA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在设计需要高效电源切换或电机驱动的应用吗？ZXMN3A14FQTA正是为您而来的解决方案。这颗来自Diodes Incorporated的N沟道MOSFET，拥有30V的漏源电压和高达3.9A的连续电流处理能力，能轻松担当起电路中的“高效开关”角色。

它的核心魅力在于极低的导通电阻（仅65毫欧@10V）和快速的开关特性。这意味着在控制电流通断时，能量损耗更小，发热更低，从而让您的系统运行更高效、更凉爽。无论是用于提升便携设备的电池续航，还是优化汽车LED驱动的响应速度，它都能显著提升整体性能。

采用坚固的SOT-23-3小型封装，并符合汽车级AEC-Q101标准，它不仅能帮您节省宝贵的电路板空间，更能确保在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定工作。选择ZXMN3A14FQTA，就是选择了一颗能让您设计更省心、产品更可靠的强大“芯”脏。

• 型号:ZXMN3A14FQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:448 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.5W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN3A14FQTA，Diodes产品一站式供应商。