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还在为功率开关的效率瓶颈而头疼吗？ZXMN3A14FTA正是为您的高效设计而来。这颗N沟道MOSFET能在30V/3.2A的工况下，凭借低至65毫欧的导通电阻，大幅降低传导损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更节能。

它采用业界通用的SOT-23-3封装，节省宝贵的PCB空间，同时其宽驱动电压范围（4.5V-10V）和低栅极电荷，让您能轻松实现快速开关，优化动态性能。无论是用于负载开关、电池管理还是DC-DC转换，它都能让您的系统效率获得显著提升，是紧凑型高性能应用的理想选择。

• 型号:ZXMN3A14FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:65 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.2V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:448 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN3A14FTA，Diodes产品一站式供应商。