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还在为复杂的功率开关设计头疼吗？让ZXMN3B01FTA来帮您简化一切！这颗小巧的N沟道MOSFET，就像一个高效、听话的“电流开关”，能轻松处理高达30V电压和1.7A的电流。其核心魅力在于极低的导通损耗，配合低至2.5V的驱动门槛，让您能用简单的单片机信号直接、高效地控制功率通路，大幅减少热量产生，提升整体能效。

无论是为您的便携设备做智能电源管理，驱动一个小型电机，还是控制LED灯串的亮灭，它都能胜任。采用标准的SOT-23-3贴片封装，节省宝贵的电路板空间，让您的设计更紧凑、更优雅。选择它，就是选择了一种让设计更轻松、让产品更可靠的智慧方案。

• 型号:ZXMN3B01FTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 1.7A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.93 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:258 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN3B01FTA，Diodes产品一站式供应商。