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还在为功率开关的效率瓶颈而困扰吗？ZXMN3B04N8TC N沟道MOSFET正是为您破局而来。它能轻松担当您电路中的高效“电子开关”，在30V电压下顺畅控制高达7.2A的电流，凭借其低至25毫欧的导通电阻，显著减少能量损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片能让您的设计事半功倍。其2.5V的低阈值驱动电压，让它可以被大多数微控制器直接驱动，省去复杂的电平转换电路，简化您的设计。无论是用于电池供电设备的负载开关、电机驱动，还是DC-DC转换器中的同步整流，它都能提供快速、干净的开关动作，提升整体能效和响应速度。

采用紧凑的8-SO封装，ZXMN3B04N8TC在为您节省板上空间的同时，其优异的散热特性确保了在高负载下的稳定表现。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与可靠的保障。

• 型号:ZXMN3B04N8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 7.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:2.5V，4.5V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 毫欧 @ 7.2A，4.5V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:700mV @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.1 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±12V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2480 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMN3B04N8TC，Diodes产品一站式供应商。