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还在为复杂的电源开关设计而头疼吗？ZXMN3F30FHTA就是您的高效解决方案。这颗来自Diodes的N沟道MOSFET，拥有30V耐压和3.8A的强大电流承载能力，却仅需占据一个微小的SOT-23-3封装空间。它能让您轻松实现紧凑型设备中的高效负载切换与电源管理。

其核心魅力在于极低的导通电阻（仅47毫欧@10V）和快速的开关特性，这意味着更少的能量损耗和更高的系统效率。无论是用于电池供电设备的电源路径管理，还是电机驱动、LED调光等开关应用，它都能让您的设计运行得更冷静、更持久。选择它，就是选择了一种让产品性能与可靠性同步升级的简单方式。

• 型号:ZXMN3F30FHTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:47 毫欧 @ 3.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:318 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:950mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMN3F30FHTA，Diodes产品一站式供应商。