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还在为功率开关的效率瓶颈和散热问题头疼吗？ZXMN4A06GTA N沟道MOSFET就是为您量身打造的解决方案。这颗芯片能为您做什么？它让您轻松实现高效、可靠的功率控制！其40V/5A的强劲规格，配合低至50毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗和发热，直接提升您的电源转换效率或电机驱动性能。

采用紧凑的SOT-223封装，它为您节省宝贵的电路板空间，同时优异的散热特性让系统运行更稳定。宽工作温度范围和优化的开关特性，确保它在从消费电子到工业控制的多种应用中都能表现出色。选择ZXMN4A06GTA，就是选择让您的设计更高效、更紧凑、更可靠。

• 型号:ZXMN4A06GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:18.2 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:770 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN4A06GTA，Diodes产品一站式供应商。