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您是否希望为您的电源开关或电机驱动电路找到一颗既强劲又高效的“心脏”？ZXMN6A08GQTA N沟道MOSFET正是您的理想之选。它能轻松处理高达60V的电压和3.8A的持续电流，凭借其极低的导通电阻，显著减少功率损耗，让您的系统运行更凉爽、能效更高。

这颗芯片专为要求严苛的应用而设计，通过了汽车级AEC-Q101认证，确保从-55°C到150°C的极端温度下稳定工作。其紧凑的SOT-223封装帮助您节省宝贵的电路板空间，同时提供出色的散热性能。无论是控制汽车负载、驱动小型电机，还是管理电源分配，ZXMN6A08GQTA都能以卓越的可靠性和性能，让您的设计脱颖而出。

• 型号:ZXMN6A08GQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:459 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A08GQTA，Diodes产品一站式供应商。