我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN6A08GQTC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为复杂的功率控制设计而头疼吗？让ZXMN6A08GQTC来为您化繁为简！这颗N沟道MOSFET是您实现高效、紧凑电源与开关应用的秘密武器。它能轻松承载高达60V的电压和3.8A的电流，并以极低的导通损耗（仅80毫欧@10V）工作，直接为您提升系统能效，减少热量产生。

更令人放心的是，它拥有汽车级（AEC-Q101）的可靠基因，工作结温范围宽达-55°C至150°C，确保您的设计即使在最严苛的环境下也能稳定运行。其SOT-223封装节省空间，易于焊接，让您的PCB布局更加灵活高效。选择它，就是选择了一个让您设计更省心、产品更耐用的高性能解决方案。

• 型号:ZXMN6A08GQTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:459 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A08GQTC，Diodes产品一站式供应商。