我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN6A08GTA现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗性能强劲又易于驾驭的功率开关而烦恼吗？ZXMN6A08GTA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和3.8A的电流处理能力，其超低的导通电阻（仅80毫欧@10V）能显著减少开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它采用紧凑的SOT-223封装，为您节省宝贵的电路板空间，同时优异的散热特性让功率输出更加稳定可靠。无论是用于提升DC-DC转换器的效率，还是实现精准的负载开关控制，它都能让您的设计事半功倍，轻松应对各种挑战。

• 型号:ZXMN6A08GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 4.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:459 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A08GTA，Diodes产品一站式供应商。