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还在为复杂的双路开关控制电路而烦恼吗？ZXMN6A09DN8TC双N沟道MOSFET阵列就是为您简化设计、提升效率而生的利器。它让您能够用极简的电路，高效地控制两路负载，其逻辑电平门特性让您可以直接用微处理器轻松驱动，省去繁琐的电平转换。

这颗芯片能为您做什么？它凭借高达60V的耐压和4.3A的持续电流能力，让您从容应对各种功率切换任务，无论是驱动小型电机、管理电池充放电还是作为负载开关都游刃有余。其超低的导通电阻（仅40毫欧）意味着更少的能量损耗和发热，直接帮助您的产品实现更长的运行时间和更高的可靠性。紧凑的8-SOIC封装更是为您的PCB节省了宝贵空间，让设计更优雅、更高效。

• 型号:ZXMN6A09DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:40 毫欧 @ 8.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.2nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1407pF @ 40V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN6A09DN8TC，Diodes产品一站式供应商。