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还在寻找一颗能同时兼顾高性能与高集成度的开关解决方案吗？ZXMN6A11DN8TA正是为您而来的答案。这颗双N沟道MOSFET阵列，集60V耐压与2.5A电流能力于一身，凭借其逻辑电平门和仅120毫欧的低导通电阻，让您能轻松驱动电机、高效管理负载，显著降低系统功耗与发热。

它卓越的开关特性极低的栅极电荷与输入电容，确保在高频PWM应用中依然保持低损耗与快速响应，让您的电源或电机控制设计更加精准高效。同时，紧凑的8-SOIC封装为您节省宝贵的电路板空间，简化布局。选择它，就是为您的产品注入了强劲而可靠的核心动力。

• 型号:ZXMN6A11DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330pF @ 40V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN6A11DN8TA，Diodes产品一站式供应商。