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您正在寻找一颗能同时驾驭高效能与高集成度的开关核心吗？ZXMN6A11DN8TC双N沟道MOSFET阵列正是为您而来。它将两个独立的逻辑电平MOSFET集成于紧凑的8-SOIC封装内，让您轻松实现更精简的PCB布局，节省宝贵空间。

这颗芯片能为您做什么？它凭借仅120毫欧的低导通电阻和2.5A的电流承载能力，确保功率路径上的损耗降至最低，显著提升系统能效。其快速的开关特性（低栅极电荷）让您的控制响应更加灵敏，无论是用于负载开关、电机驱动还是电源转换，都能让您的设计运行得更冷静、更高效、更可靠。

• 型号:ZXMN6A11DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330pF @ 40V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN6A11DN8TC，Diodes产品一站式供应商。