我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN6A11GTC现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能简化设计、提升效率的功率开关？ZXMN6A11GTC正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的耐压和3.1A的电流处理能力，其核心价值在于极低的导通电阻（典型值120毫欧@10V Vgs）和快速的开关特性。这意味着它能显著降低功率损耗，减少发热，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

更令人心动的是，它采用节省空间的SOT-223封装，让您能在紧凑的电路板上轻松布局。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了在苛刻环境下的稳定表现。简而言之，ZXMN6A11GTC致力于以精简的尺寸和出色的电气性能，助您轻松实现更可靠、更节能的产品设计。

• 型号:ZXMN6A11GTC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.1A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:5.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:330 pF @ 40 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A11GTC，Diodes产品一站式供应商。