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还在寻找一颗能同时兼顾高效能与易驱动性的MOSFET吗？ZXMN6A25DN8TA正是为您量身打造的解决方案。这颗双N沟道MOSFET拥有仅50毫欧的超低导通电阻，能大幅降低功率损耗，提升系统整体效率；同时，其逻辑电平门驱动特性，让您可以直接用微控制器或低电压逻辑电路轻松驱动，简化了您的设计，节省了外围元件。

它能让您的电源管理、电机控制或负载开关应用运行得更冷静、更迅捷。高达3.8A的电流承载能力和60V的耐压，确保了强大的驱动能力和广泛的适用性。无论是空间紧张的便携设备，还是要求长期稳定运行的工业模块，选择ZXMN6A25DN8TA，就是为您的产品注入了高效可靠的核心动力。

• 型号:ZXMN6A25DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 N-通道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMN6A25DN8TA，Diodes产品一站式供应商。