我们为全球各个行业提供Diodes ZXMN6A25G现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为寻找一颗能在紧凑空间内高效处理功率的MOSFET而烦恼吗？ZXMN6A25G正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V/4.8A的强劲规格，却能以SOT-223的小巧身形轻松集成，其低至50毫欧的导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源转换或电机驱动方案运行得更凉爽、更高效。

它专为让您的设计事半功倍而生。极低的栅极电荷（20.4nC）意味着您可以用更小的驱动电路实现快速开关，简化设计并节省BOM成本。宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）则赋予了它应对严苛环境的卓越可靠性。无论是提升现有产品的能效，还是为创新设计注入动力，ZXMN6A25G都是您值得信赖的伙伴，助您轻松攻克功率管理的挑战。

• 型号:ZXMN6A25G
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A25G，Diodes产品一站式供应商。