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还在为复杂的功率控制设计头疼？ZXMN6A25GTA就是您的高效开关解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有60V耐压和4.8A的电流处理能力，配合低至50毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，提升系统整体能效，让您的电源管理设计既强劲又省电。

它采用紧凑的SOT-223封装，节省宝贵的电路板空间，同时提供良好的散热性能。其优化的栅极特性（Qg仅20.4nC）确保快速、干净的开关动作，让您轻松实现高效的电机驱动、DC-DC转换或负载切换。选择它，就是为您的产品选择了可靠的心脏。

• 型号:ZXMN6A25GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.8A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 155°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMN6A25GTA，Diodes产品一站式供应商。