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您正在寻找一颗能扛起高功率开关重任，同时保持极高效率的MOSFET吗？ZXMN6A25K正是为您而来。这颗N沟道MOSFET拥有60V的漏源电压和7A的连续电流能力，其核心优势在于极低的导通电阻（典型值50毫欧@10V），能大幅减少开关过程中的功率损耗，直接为您提升系统整体能效，让设备运行更凉爽、更节能。

它采用便捷的表面贴装TO-252-3封装，节省布局空间的同时，其宽泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C）确保了在各类严苛环境下的稳定表现。无论是用于电源转换、电机驱动还是负载开关，ZXMN6A25K都能以出色的性能，让您的设计更加高效可靠，轻松应对功率管理的挑战。

• 型号:ZXMN6A25K
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:TO-252-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2.11W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-252-3
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• ZXMN6A25K，Diodes产品一站式供应商。