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还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又小巧的“心脏”吗？ZXMN6A25N8TA正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET就像一个反应迅捷、损耗极低的电子开关，它能轻松处理高达60V的电压和4.3A的电流，而其核心优势在于超低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它专为提升能效而生。较低的栅极电荷意味着它开关速度极快，驱动起来更省力，非常适合空间和功耗都受限的便携式产品。同时，其宽温域特性和坚固的8-SO表面贴装封装，确保了从消费电子到工业控制等各种应用场景下的稳定性和可靠性。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让产品更具竞争力的高效解决方案。

• 型号:ZXMN6A25N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:50 毫欧 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1063 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMN6A25N8TA，Diodes产品一站式供应商。