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ZXMP10A17E6QTA 零件图片(仅供参考)

ZXMP10A17E6QTA
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ZXMP10A17E6QTA 规格参数

还在为电源开关效率不高、电路板空间紧张而烦恼吗?ZXMP10A17E6QTA正是为您量身打造的解决方案!这颗P沟道MOSFET拥有高达100V的耐压和1.3A的电流处理能力,却能被轻松驱动(仅需6-10V栅极电压),其超低的导通电阻(典型350mΩ)能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、续航更持久。

它采用微型SOT-26封装,能完美融入空间受限的便携式设备、电池保护板或智能家居模块中,实现高效、紧凑的负载开关与电源路径管理。选择它,就是选择让您的设计更高效、更可靠、更具竞争力。

  • 型号:ZXMP10A17E6QTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 1.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):424 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • ZXMP10A17E6QTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMP10A17E6QTA 基本参数:

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