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ZXMP10A17E6TA 零件图片(仅供参考)

ZXMP10A17E6TA
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ZXMP10A17E6TA 规格参数

还在为高电压开关应用寻找一颗“得力干将”吗?ZXMP10A17E6TA P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能轻松胜任高达100V电压、1.3A电流的开关任务,凭借其低至350毫欧的导通电阻,显著降低功率损耗,让您的系统运行更凉爽、更节能。

这颗芯片专为简化您的设计而生。其优化的驱动特性(Vgs(th)最大4V)和快速的开关性能(低栅极电荷),让您能够轻松实现高效、响应迅速的控制逻辑。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载切换,它都能以紧凑的SOT-26封装,为您节省空间,同时凭借-55°C至150°C的宽广工作温度范围,确保在各种环境下稳定可靠地工作。

  • 型号:ZXMP10A17E6TA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-26
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 1.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.1 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):424 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-26
  • 封装/外壳:SOT-23-6
  • ZXMP10A17E6TA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMP10A17E6TA 基本参数:

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