还在为高电压开关应用寻找一颗“得力干将”吗?ZXMP10A17E6TA P沟道MOSFET就是您的高效解决方案。它能轻松胜任高达100V电压、1.3A电流的开关任务,凭借其低至350毫欧的导通电阻,显著降低功率损耗,让您的系统运行更凉爽、更节能。
这颗芯片专为简化您的设计而生。其优化的驱动特性(Vgs(th)最大4V)和快速的开关性能(低栅极电荷),让您能够轻松实现高效、响应迅速的控制逻辑。无论是用于电源管理、电机驱动还是负载切换,它都能以紧凑的SOT-26封装,为您节省空间,同时凭借-55°C至150°C的宽广工作温度范围,确保在各种环境下稳定可靠地工作。
- 型号:ZXMP10A17E6TA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-26
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 100V 1.3A SOT26
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.3A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 1.4A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):6.1 nC @ 5 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):424 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):1.1W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-26
- 封装/外壳:SOT-23-6
- ZXMP10A17E6TA,Diodes产品一站式供应商。