您是否正在寻找一颗能简化设计、提升效率的P沟道MOSFET解决方案?ZXMP10A17GQTA正是您的理想之选。这颗100V、2.4A的汽车级MOSFET,凭借其低至350毫欧的导通电阻,能显著降低开关过程中的功率损耗,让您的电源管理或负载开关电路运行得更凉爽、更高效。
它专为应对严苛环境而设计,通过AEC-Q101认证,工作温度范围宽达-55°C至150°C,确保在汽车电子或工业应用中的超高可靠性。其优化的栅极特性让驱动变得轻松,帮助您加速产品开发周期,轻松实现更紧凑、更可靠的系统设计。
- 型号:ZXMP10A17GQTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-223-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 100V 2.4A SOT223
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):100 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 1.4A,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.7 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):424 pF @ 50 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):2W(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q101
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-223-3
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- ZXMP10A17GQTA,Diodes产品一站式供应商。