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ZXMP10A17GTA 零件图片(仅供参考)

ZXMP10A17GTA
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ZXMP10A17GTA 规格参数

还在为电路中的功率开关效率低下而头疼吗?ZXMP10A17GTA正是您期待的答案。这颗P沟道MOSFET拥有高达100V的漏源电压和1.7A的连续电流能力,其核心魅力在于极低的导通电阻(仅350毫欧@10V),能显著减少功率损耗,让您的设备运行更凉爽、更持久。

它采用便于焊接和生产的SOT-223表面贴装封装,能轻松集成到您的PCB设计中。优异的开关特性(低栅极电荷和输入电容)让驱动电路设计变得简单高效,帮助您快速实现稳定可靠的电源切换、电机控制或负载管理功能。选择它,就是为您的产品选择了一份经过验证的高效与可靠。

  • 型号:ZXMP10A17GTA
  • 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
  • 封装:SOT-223-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:P 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.7A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):350 毫欧 @ 1.4A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.7 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):424 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):2W(Ta)
  • 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:SOT-223-3
  • 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
  • ZXMP10A17GTA,Diodes产品一站式供应商。
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ZXMP10A17GTA 基本参数:

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