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还在为高压、小电流的开关控制电路寻找一颗可靠、高效的“心脏”吗？让ZXMP2120G4TA来为您实现！这颗P沟道MOSFET专为需要精妙功率管理的应用而生，它能轻松处理高达200V的电压，并以200mA的电流稳定切换，是您设计电源路径管理、信号隔离或负载开关的理想选择。

得益于其仅需10V的低驱动电压和优化的导通电阻，它能帮助您大幅降低系统的控制功耗和热量产生，让您的产品运行更凉爽、更高效。紧凑的SOT-223表面贴装封装，让您能在有限的空间内实现强大的功能，简化PCB布局，加速生产流程。选择它，就是选择了一种让设计更简单、让性能更出众的智慧方案。

• 型号:ZXMP2120G4TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):200mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:25 欧姆 @ 150mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:100 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMP2120G4TA，Diodes产品一站式供应商。