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还在寻找一颗能同时驱动双路负载且高效节能的“心脏”吗？ZXMP3A16DN8TA正是您期待的答案。它内置两个独立的P沟道MOSFET，每个都能轻松驾驭高达4.2A的连续电流，而其低至45毫欧的导通电阻，能显著减少功率损耗和发热，让您的系统运行更凉爽、更持久。

这颗芯片专为简化您的设计而生。1V的低开启阈值电压，让您可以直接用微控制器的GPIO口轻松驱动，无需复杂的电平转换电路。同时，其快速的开关特性（得益于低栅极电荷）非常适合需要精密PWM控制的场景，无论是电机调速还是LED调光，都能让您得心应手。选择它，就是选择了一种高效、可靠且易于实现的电源管理方案。

• 型号:ZXMP3A16DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.2A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 4.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.6nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1022pF @ 15V
• 功率 - 最大值:1.8W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMP3A16DN8TA，Diodes产品一站式供应商。