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您是否正在寻找一颗能显著提升系统效率、同时保持设计精简的P沟道MOSFET？ZXMP3F36N8TA就是您的理想答案。这颗芯片能轻松担当起负载开关、电源隔离或电机控制的核心角色，凭借其20mΩ的低导通电阻和7.2A的持续电流能力，大幅降低功率损耗，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它专为简化您的设计而生。采用紧凑的8-SO封装，节省板上空间；仅需4.5V至10V的驱动电压即可高效导通，简化驱动电路设计。无论是处理30V以内的电压，还是在-55°C到150°C的严苛温度下稳定工作，ZXMP3F36N8TA都能提供可靠的性能，让您专注于产品创新，无需为电源管理的稳定性担忧。

• 型号:ZXMP3F36N8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 30V 7.2A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:20 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43.9 nC @ 15 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2265 pF @ 15 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.56W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:8-SO
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154\\
• ZXMP3F36N8TA，Diodes产品一站式供应商。