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您正在寻找一颗能轻松驾驭中等功率开关任务，同时保持高效和紧凑的MOSFET吗？ZXMP4A16GTA正是为此而生。这颗P沟道MOSFET拥有40V的耐压和4.6A的连续电流能力，配合低至60毫欧的导通电阻，能显著降低您电路中的功率损耗，提升整体能效，让热量不再是设计的烦恼。

它卓越的开关特性是另一大亮点。低栅极电荷（26.1nC @10V）让开关速度更快，损耗更低，特别适合需要频繁切换的应用。采用节省空间的SOT-223封装，却提供了强大的2W散热能力，并支持-55°C至150°C的严苛工作温度范围。无论是用于电源管理、负载开关还是电机驱动，它都能让您的设计更可靠、更高效、更具竞争力。

• 型号:ZXMP4A16GTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-223-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.4A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:60 毫欧 @ 3.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26.1 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1007 pF @ 20 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-223-3
• 封装/外壳:TO-261-4，TO-261AA
• ZXMP4A16GTA，Diodes产品一站式供应商。