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还在寻找一颗能完美胜任电源开关任务的P沟道MOSFET吗？ZXMP6A13FQTA正是您期待的解决方案。它能让您轻松实现高效的负载开关、电源路径管理和信号切换，其低至400毫欧的导通电阻和仅2.9nC的栅极电荷，确保了极低的功率损耗和快速的开关响应，显著提升您的系统能效。

这颗芯片专为简化您的设计而生。标准的逻辑电平驱动电压，让您无需额外电路即可直接控制，大大节省了开发时间和板级空间。其坚固的SOT-23封装和宽工作温度范围，则保证了在各种应用环境中都能稳定可靠地运行，让您的产品更具竞争力。

• 型号:ZXMP6A13FQTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-23-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:400 毫欧 @ 900mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:2.9 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:219 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:625mW（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-23-3
• 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
• ZXMP6A13FQTA，Diodes产品一站式供应商。