还在为复杂的电源开关设计头疼吗?让ZXMP6A13FTA来为您简化一切!这颗由Diodes Incorporated推出的P沟道MOSFET,是您实现高效、紧凑电路方案的得力助手。它能轻松处理高达60V的电压和900mA的电流,并以低至400毫欧的导通电阻,显著降低功率损耗,让您的设备运行更凉爽、更持久。
无论是构建负载开关、电源路径管理,还是信号切换,ZXMP6A13FTA都能让您游刃有余。其SOT-23-3微型封装为您节省宝贵的板级空间,而宽广的工作温度范围则确保了在各种环境下的稳定表现。选择它,就是选择了一个可靠、高效且易于使用的解决方案,助您快速将创意转化为成熟产品。
- 型号:ZXMP6A13FTA
- 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
- 封装:SOT-23-3
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
- 描述:MOSFET P-CH 60V 900MA SOT23-3
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:在售
- FET 类型:P 通道
- 技术:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss):60 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):900mA(Ta)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):400 毫欧 @ 900mA,10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 250A
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.9 nC @ 10 V
- Vgs(最大值):±20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):219 pF @ 30 V
- FET 功能:-
- 功率耗散(最大值):625mW(Ta)
- 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:SOT-23-3
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- ZXMP6A13FTA,Diodes产品一站式供应商。