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您正在设计需要高效、可靠电源切换的汽车电子或工业控制系统吗？ZXMP6A16DN8TA正是为您而来的解决方案。这颗双P沟道MOSFET阵列，能轻松胜任60V电压、高达3.9A电流的负载控制任务，其低至85毫欧的导通电阻让功率损耗大幅降低，从而让您的系统运行更凉爽、更高效。

它集成了两个独立的通道，让您用一个芯片就能控制两路负载，极大地简化了PCB布局，节省了宝贵空间。更值得一提的是，它符合严苛的AEC-Q101汽车级标准，确保在-55°C至150°C的极端温度范围内稳定工作，为您产品的长期可靠性提供了坚实保障。选择它，就是为您的设计选择了一份经过验证的稳健与高效。

• 型号:ZXMP6A16DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.9A（Ta）
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.1nC @ 5V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1021pF @ 30V
• 功率 - 最大值:2.15W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMP6A16DN8TA，Diodes产品一站式供应商。