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还在为复杂的双路开关设计而头疼吗？让ZXMP6A16DN8TC为您化繁为简！这颗双P沟道MOSFET阵列，能轻松胜任高达60V电压、2.9A电流的开关任务，其优异的低导通电阻特性，能显著减少功率损耗，直接提升您产品的整体能效和续航能力。

它专为高效、紧凑的电源管理应用而生。无论是作为负载开关精准控制电源通断，还是在电机驱动、电池保护电路中实现可靠切换，它都能稳定工作。其工业级宽温范围和表面贴装设计，让您能从容应对各种严苛环境与空间限制，是您打造高性能、高可靠性电子设备的得力助手。

• 型号:ZXMP6A16DN8TC
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:-
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.9A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:85 毫欧 @ 2.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.2nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1021pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.25W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMP6A16DN8TC，Diodes产品一站式供应商。