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还在为寻找一颗能同时驱动双路负载、又节省空间的功率开关而费神吗？ZXMP6A17DN8TA正是您期待的答案。这颗双P沟道MOSFET阵列，能让您轻松实现高效率的电源路径管理和负载切换。

它拥有60V的耐压和2.7A的持续电流能力，配合逻辑电平门驱动，让您的低压MCU可以直接控制，设计变得异常简单。极低的导通电阻和栅极电荷，意味着更少的能量损耗和更快的开关速度，直接提升您产品的能效与响应性能。

无论是便携设备、消费电子还是工业控制，其紧凑的8-SOIC封装和宽广的工作温度范围，都能让您的设计更可靠、更富竞争力。选择ZXMP6A17DN8TA，就是选择了一条通往高效、紧凑设计的捷径。

• 型号:ZXMP6A17DN8TA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:8-SO
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
• 描述:MOSFET 2P-CH 60V 2.7A 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 配置:2 个 P 沟道（双）
• FET 功能:逻辑电平门
• 漏源电压（Vdss）:60V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.7A
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1V @ 250A（最小）
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.7nC @ 10V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637pF @ 30V
• 功率 - 最大值:1.81W
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SO
• ZXMP6A17DN8TA，Diodes产品一站式供应商。