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还在寻找一颗能兼顾高效能与小体积的P沟道MOSFET吗？ZXMP6A17E6QTA正是为您而生的解决方案。它能让您轻松实现高效的电源开关与控制，其60V的耐压和2.3A的持续电流能力，足以应对多种便携设备和模块的功率需求。

这颗芯片的核心价值在于其出色的能效表现。仅125毫欧的低导通电阻，意味着更少的能量以热量形式浪费，从而让您的系统运行更凉爽，电池续航更持久。同时，其紧凑的SOT-26封装为您节省了宝贵的电路板空间，让设计更加紧凑精巧。

无论是用于负载开关、电源隔离还是电机驱动，ZXMP6A17E6QTA都能凭借其稳定的性能和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），确保您的应用在各种环境下都可靠运行。选择它，就是为您的产品选择了一份高效与安心的保障。

• 型号:ZXMP6A17E6QTA
• 品牌:Diodes Incorporated (Diodes,美台半导体或达尔科技)
• 封装:SOT-26
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:P 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.3A（Ta）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:125 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:637 pF @ 30 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:1.1W（Ta）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:SOT-26
• 封装/外壳:SOT-23-6
• ZXMP6A17E6QTA，Diodes产品一站式供应商。